应重视心脏性猝死高危人群的筛查和植入型心

本文原载于《中华心律失常学杂志》年第4期

本文作者:宿燕岗

中国每年发生心脏性猝死(suddencardiacdeath,SCD)近55万[1],SCD也是世界范围内的重大公共卫生挑战。虽然植入型心律转复除颤器(implantablecardioverterdefibrillator,ICD)可以将导致SCD主要原因的恶性室性心律失常[持续室性心动过速(室速)/心室颤动(室颤)]及时成功转复,但目前存在的问题也很多。主要集中在两个方面:①ICD价格昂贵且存在术后并发症可能,因此如何选择SCD高危人群有的放矢地植入ICD就显得非常重要。事实上,多数患者在发生SCD前不能准确预测,尤其是最常见导致SCD的缺血性心脏病患者[2];而针对心力衰竭患者,虽然左心室射血分数(leftventricularejectionfraction,LVEF)35%是目前多个指南制定的植入ICD预防SCD的Ⅰ类适应证,但LVEF的特异性和敏感性都存在明显不足:依据LVEF进行ICD一级SCD预防的患者2年ICD适当治疗率不足20%[3];另外,LVEF在很多存在SCD风险的疾病(如肥厚型心肌病、致心律失常性右心室心肌病及离子通道疾病等)并非是预测因素。因此,寻找除LVEF外其他SCD高危预测因素的工作迫在眉睫。②植入ICD后患者及装置的管理亟需加强。最主要的问题是如何使ICD在发挥作用(避免患者发生SCD)的同时不发放不必要的电击治疗。多个临床研究证实不适当电击的发生率在15%左右[4,5],而后者是恶化患者预后的重要因素。以往因国内ICD植入数量不多,不少医疗单位及医生对ICD术后管理认识不足,而随着国内近年应用ICD的医疗中心及患者数量的增加,ICD术后的管理日趋显得重要。鉴于此,本期专门针对SCD设立了本专栏,主要针对上述问题进行探讨。

发生SCD的直接原因主要为恶性室性心律失常事件。显然,LVEF并不能反映患者心电活动的变化,而心电信号应对SCD的预警具有巨大潜力。郭旗等[6]对SCD心电学及其他风险预警指标的发展现状与趋势进行了综述。这些心电指标包括心率震荡/心率变异性、V1导联P波的深端负性、校正QT间期/QT离散度、QRS时限/离散度/碎裂波/QRS-T角、J波、Brugada心电图样改变、T波峰末间期、T波电交替、心室异位QRS时限间隔和波形异质性等。上述心电学指标都分别在不同疾病中对预测SCD提供了参考。此外,多种心电信号的组合也得到诸多







































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